TSM6N60CH C5

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

20.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

89 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

台湾積体電路

立ち下がり時間：

6.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.6 ns

ファクトリーパックの数量：

1875

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

57 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

単位重量：

0.012102 oz

Tags

TSM6N6, TSM6N, TSM6, TSM