W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR
Mfr. #:
W987D2HBJX7E TR
メーカー:
Winbond
説明:
DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
W987D2HBJX7E TR データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー:
ウィンボンド
製品カテゴリ:
DRAM
タイプ:
SDRAMモバイル-LPSDR
データバス幅:
32 bit
組織:
4 M x 32
パッケージ/ケース:
VFBGA-90
メモリー容量:
128 Mbit
最大クロック周波数:
133 MHz
アクセス時間:
8 ns
供給電圧-最大:
1.95 V
供給電圧-最小:
1.7 V
供給電流-最大:
70 mA
最低動作温度:
- 25 C
最高作動温度:
+ 85 C
シリーズ:
W987D2HB
包装:
リール
ブランド:
ウィンボンド
取り付けスタイル:
SMD / SMT
製品タイプ:
DRAM
ファクトリーパックの数量:
2500
サブカテゴリ:
メモリとデータストレージ
Tags
W987D2, W987D, W987, W98
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Packaging Boxes
***i-Key
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
モデル メーカー 説明 ストック 価格
W987D2HBJX7ETR
DISTI # V36:1790_07052484
Winbond Electronics Corp128M MSDR, X32, 133MHZ, 65NM T0
    W987D2HBJX7E TR
    DISTI # W987D2HBJX7ETR-ND
    Winbond Electronics CorpIC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 2500
    Container: Tape & Reel (TR)
    Limited Supply - Call
    • 2500:$2.1839
    W987D2HBJX7E TR
    DISTI # 454-W987D2HBJX7ETR
    Winbond Electronics CorpDRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm T&R0
      画像 モデル 説明
      W987D2HBJX6I

      Mfr.#: W987D2HBJX6I

      OMO.#: OMO-W987D2HBJX6I

      DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp
      W987D2HBJX6E

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      DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz
      W987D2HBJX7E

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      DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
      W987D2HBJX6I TR

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      DRAM 128M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R
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      IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
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