RGT50NS65DGTL

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

SMD-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.65 V

最大ゲートエミッタ電圧：

30 V

25℃での連続コレクタ電流：

48 A

Pd-消費電力：

194 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

200 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

RGT50NS65D(LPDS)

Tags

RGT50N, RGT5, RGT