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| モデル | メーカー | 説明 | ストック | 価格 |
|---|---|---|---|---|
| IRFW710BTM | Fairchild Semiconductor Corporation | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB RoHS: Compliant | 1600 |
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| 画像 | モデル | 説明 |
|---|---|---|
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Mfr.#: IRFW450 OMO.#: OMO-IRFW450-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW520ATMFSC OMO.#: OMO-IRFW520ATMFSC-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW540 OMO.#: OMO-IRFW540-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW540ATM |
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
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Mfr.#: IRFW624ATM OMO.#: OMO-IRFW624ATM-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW644BTM OMO.#: OMO-IRFW644BTM-1190 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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Mfr.#: IRFW644BTM-AS003 OMO.#: OMO-IRFW644BTM-AS003-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW654B OMO.#: OMO-IRFW654B-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW710B OMO.#: OMO-IRFW710B-1190 |
ブランドニューオリジナル |
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Mfr.#: IRFW820BTM OMO.#: OMO-IRFW820BTM-1190 |
MOSFET 500V N-Channel B-FET |