PTVA102001EA-V1-R0

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

105 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

340 mOhms

利得：

18.5 dB

出力電力：

200 W

最高作動温度：

+ 225 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-36265-2

包装：

リール

動作周波数：

960 MHz to 1600 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Wolfspeed / Cree

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

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