CG2H80030D-GP4

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

17 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V to 2 V

Id-連続ドレイン電流：

0.8 A

出力電力：

6 W

最大ドレインゲート電圧：

-

最低動作温度：

-

最高作動温度：

-

Pd-消費電力：

-

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

死ぬ

包装：

ジェルパック

応用：

-

構成：

独身

高さ：

100 um

長さ：

840 um

動作周波数：

10 MHz to 18 GHz

動作温度範囲：

-

製品：

GaN HEMT

幅：

800 um

ブランド：

Wolfspeed / Cree

ゲート-ソースカットオフ電圧：

-

クラス：

-

開発キット：

-

立ち下がり時間：

-

NF-雑音指数：

-

P1dB-圧縮ポイント：

-

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 Ohms

立ち上がり時間：

-

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

トランジスタ

典型的なターンオフ遅延時間：

-

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2