IRF8910PBF

Mfr. #:: IRF8910PBF
メーカー:: Infineon Technologies
説明:: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: IRF8910PBF データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:: IRF8910PBF Datasheet IRF8910PBF Datasheet (P4-P6)IRF8910PBF Datasheet (P7-P9)IRF8910PBF Datasheet (P10)
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: インフィニオンテクノロジーズ

製品カテゴリ: FET-アレイ

シリーズ: HEXFETR

包装: チューブ代替包装

単位重量: 0.019048 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

テクノロジー: Si

作動温度: -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ: 表面実装

チャネル数: 2 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ: 8-SO

構成: デュアル

FETタイプ: 2 N-Channel (Dual)

パワーマックス: 2W

トランジスタタイプ: 2 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss: 20V

入力-静電容量-Ciss-Vds: 960pF @ 10V

FET機能: ロジックレベルゲート

Current-Continuous-Drain-Id-25°C: 10A

Rds-On-Max-Id-Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs-th-Max-Id: 2.55V @ 250μA

ゲートチャージ-Qg-Vgs: 11nC @ 4.5V

Pd-電力損失: 2 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 4.1 ns

立ち上がり時間: 10 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 20 V

Id-連続-ドレイン-電流: 10 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 20 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 18.3 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 9.7 ns

典型的なターンオン遅延時間: 6.2 ns

Qg-Gate-Charge: 7.4 nC

チャネルモード: 強化

Tags: IRF8910P, IRF8910, IRF891, IRF89, IRF8, IRF

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Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
IRF8910TRPBF DISTI # IRF8910PBFCT-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Cut Tape (CT)	2170In Stock	1000:$0.4905 500:$0.6078 100:$0.7690 10:$0.9600 1:$1.0800
IRF8910TRPBF DISTI # IRF8910PBFDKR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Digi-Reel®	2170In Stock	1000:$0.4905 500:$0.6078 100:$0.7690 10:$0.9600 1:$1.0800
IRF8910PBF DISTI # IRF8910PBF-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tube	Limited Supply - Call
IRF8910TRPBF DISTI # IRF8910PBFTR-ND	Infineon Technologies AG	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC RoHS: Compliant Min Qty: 4000 Container: Tape & Reel (TR)	On Order	4000:$0.4477
IRF8910PBF DISTI # 70017010	Infineon Technologies AG	IRF8910PBF Dual N-channel MOSFET Transistor,10 A,20 V,8-Pin SOIC RoHS: Compliant	0	3800:$0.4000
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画像	モデル	説明
	Mfr.#: IRF8910GTRPBF OMO.#: OMO-IRF8910GTRPBF	MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
	Mfr.#: IRF8910TRPBF OMO.#: OMO-IRF8910TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
	Mfr.#: IRF8910TRPBF-CUT TAPE OMO.#: OMO-IRF8910TRPBF-CUT-TAPE-1190	ブランドニューオリジナル
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	Mfr.#: IRF8910PBFCT-ND OMO.#: OMO-IRF8910PBFCT-ND-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRF8910TRPBF. OMO.#: OMO-IRF8910TRPBF--1190	TRENCH_MOSFETS , ROHS COMPLIANT: YES
	Mfr.#: IRF8953 OMO.#: OMO-IRF8953-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: IRF8915PBF OMO.#: OMO-IRF8915PBF-126	IGBT Transistors MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 18.3mOhms 4.9nC