STP1N105K3

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.05 kV

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperMESH

包装：

チューブ

シリーズ：

STP1N105K3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

50 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STP1, STP