PSMN2R0-60ES,127

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

I2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

137 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

338 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN2R0-60E, PSMN2R0-6, PSMN2R0, PSMN2, PSMN, PSM