AGR09045EF

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

4.25 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

895 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

Pd-消費電力：

117 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.8 V

Tags

AGR09045E, AGR0904, AGR090, AGR09, AGR0, AGR