RDN120N25FU6

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

250 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

31 nC

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

RDN120N25

単位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN1, RDN