DMN3033LSD-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

6.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5.3 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN3033

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

4.1 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

63 ns

典型的なターンオン遅延時間：

11 ns

単位重量：

0.030018 oz

Tags

DMN3033LSD, DMN3033LS, DMN3033, DMN303, DMN30, DMN3, DMN