BG 3230 E6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

25 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363

包装：

リール

構成：

デュアル

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

タイプ：

RF小信号MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

チャネルモード：

枯渇

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

6 V

単位重量：

0.000212 oz

Tags

BG3230E, BG323, BG32, BG3