CBCX69 TR TIN/LEAD

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

65 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

CBCX6

DC電流ゲインhFEMax：

375 at 500 mA, 1 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

1 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

85 at 500 mA, 1 V

Pd-消費電力：

1.2 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

CBCX69T, CBCX69, CBCX, CBC