NTMD2C02R2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

43 mOhms, 100 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

立ち下がり時間：

80 ns, 35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

50 ns, 40 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 15 ns

単位重量：

0.006596 oz

Tags

NTMD2C02R2, NTMD2C, NTMD2, NTMD, NTM