NTP8G202NG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

GaN

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

18 V

Qg-ゲートチャージ：

6.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

65 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.5 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

9.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.2 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

NTP8, NTP