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IPB029N06N

IPB029N06N
Mfr. #:
IPB029N06N
メーカー:
Infineon Technologies
説明:
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IPB029N06N データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
インフィニオンテクノロジーズ
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
シリーズ
OptiMOS 3
包装
リール
パーツエイリアス
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
単位重量
0.068654 oz
商標名
OptiMOS
パッケージ-ケース
TO-263-3
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
独身
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
188 W
最高作動温度
+ 175 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
20 ns
立ち上がり時間
120 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
120 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
60 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
2.9 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
62 ns
典型的なターンオン遅延時間
35 ns
チャネルモード
強化
Tags
IPB029, IPB02, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # V72:2272_06383202		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		629
  • 1:$1.1974
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # V36:1790_06383202		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$0.6963
IPB029N06N3GE8187ATMA1
DISTI # V36:1790_06383203		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A0
  • 10000000:$0.8108
  • 100000:$0.8884
  • 1000:$1.0190
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # IPB029N06N3GATMA1CT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		637In Stock
  • 500:$1.1356
  • 100:$1.3822
  • 10:$1.7200
  • 1:$1.9100
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # IPB029N06N3GATMA1DKR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		637In Stock
  • 500:$1.1356
  • 100:$1.3822
  • 10:$1.7200
  • 1:$1.9100
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # IPB029N06N3GATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 5000:$0.8400
  • 2000:$0.8505
  • 1000:$0.9135
IPB029N06N3GE8187ATMA1
DISTI # IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.0186
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # 32628473		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		21000
  • 1000:$0.7728
IPB029N06N3 G
DISTI # 32730959		Infineon Technologies AG01000
  • 200:$1.2342
  • 100:$1.2470
  • 50:$1.4917
  • 14:$1.6193
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # 32825842		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		1000
  • 1000:$0.8613
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # 28985310		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		629
  • 500:$1.0450
  • 250:$1.0895
  • 100:$1.1926
  • 25:$1.3380
  • 10:$1.4867
IPB029N06N3G
DISTI # SP000453052		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000453052)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 10000:€0.6179
  • 6000:€0.6599
  • 4000:€0.7569
  • 2000:€0.9069
  • 1000:€1.0801
IPB029N06N3G
DISTI # SP000453052		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP000453052)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 10000:€0.5819
  • 6000:€0.6269
  • 4000:€0.6799
  • 2000:€0.7409
  • 1000:€0.9059
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # IPB029N06N3GATMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.6089
  • 6000:$0.6199
  • 4000:$0.6419
  • 2000:$0.6659
  • 1000:$0.6909
IPB029N06N3GE8187ATMA1
DISTI # IPB029N06N3GE8187ATMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB029N06N3GE8187ATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 10000:$0.8499
  • 6000:$0.8649
  • 4000:$0.8949
  • 2000:$0.9289
  • 1000:$0.9629
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # 97Y1820		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:120A,Drain Source Voltage Vds:60V,On Resistance Rds(on):0.0023ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,Power RoHS Compliant: Yes990
  • 500:$1.0600
  • 250:$1.1400
  • 100:$1.2100
  • 50:$1.3100
  • 25:$1.4100
  • 10:$1.5200
  • 1:$1.7800
IPB029N06N3GATMA1
DISTI # 726-IPB029N06N3GATMA		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		802
  • 1:$1.7600
  • 10:$1.5000
  • 100:$1.2000
  • 500:$1.0500
  • 1000:$0.8700
  • 2000:$0.8110
  • 5000:$0.7810
  • 10000:$0.7500
IPB029N06N3 G
DISTI # 726-IPB029N06N3G		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		15
  • 1:$1.7600
  • 10:$1.5000
  • 100:$1.2000
  • 500:$1.0500
  • 1000:$0.8700
  • 2000:$0.8110
  • 5000:$0.7810
  • 10000:$0.7500
IPB029N06N3GE8187ATMA1
DISTI # 726-IPB029N06N3GE818		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
RoHS: Compliant		0
    IPB029N06N3GATMA1
    DISTI # 9140185P    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CHANNEL 60V 120A OPTIMOS TO263, RL1900
    • 100:£0.9470
    • 50:£1.0390
    IPB029N06N3GE8187ATMA1
    DISTI # 8269200P    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 120A 60V OPTIMOS3 TO263, RL310
    • 100:£0.9470
    • 50:£1.0390
    IPB029N06N3GATMA1
    DISTI # 2617425    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-31005
    • 500:£0.8090
    • 250:£0.8680
    • 100:£0.9260
    • 10:£1.1900
    • 1:£1.5500
    IPB029N06N3GATMA1
    DISTI # 2617425    		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263-3
    RoHS: Compliant    		990
    • 500:$1.8200
    • 100:$2.3400
    • 10:$2.9100
    • 1:$3.2300
    画像 モデル 説明
    IPB020N10N5LFATMA1

    Mfr.#: IPB020N10N5LFATMA1

    OMO.#: OMO-IPB020N10N5LFATMA1

    		 MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
    IPB024N10N5ATMA1

    Mfr.#: IPB024N10N5ATMA1

    OMO.#: OMO-IPB024N10N5ATMA1

    		 MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
    IPB027N10N3 G

    Mfr.#: IPB027N10N3 G

    OMO.#: OMO-IPB027N10N3-G

    		 MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
    IPB020N04N

    Mfr.#: IPB020N04N

    OMO.#: OMO-IPB020N04N-1190

    		 ブランドニューオリジナル
    IPB021N04N

    Mfr.#: IPB021N04N

    OMO.#: OMO-IPB021N04N-1190

    		 ブランドニューオリジナル
    IPB022N04LG

    Mfr.#: IPB022N04LG

    OMO.#: OMO-IPB022N04LG-1190

    		 Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
    IPB023N04N

    Mfr.#: IPB023N04N

    OMO.#: OMO-IPB023N04N-1190

    		 ブランドニューオリジナル
    IPB025N08N3 G

    Mfr.#: IPB025N08N3 G

    OMO.#: OMO-IPB025N08N3-G-1190

    		 Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB025N08N3 G)
    IPB027N10N 027N10N

    Mfr.#: IPB027N10N 027N10N

    OMO.#: OMO-IPB027N10N-027N10N-1190

    		 ブランドニューオリジナル
    IPB020N08N5ATMA1

    Mfr.#: IPB020N08N5ATMA1

    OMO.#: OMO-IPB020N08N5ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
    可用性
    ストック:
    Available
    注文中:
    5000
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    参考価格（USD）
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    単価
    小計金額
    1
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    $0.00
    10
    $0.00
    $0.00
    100
    $0.00
    $0.00
    500
    $0.00
    $0.00
    1000
    $0.00
    $0.00
    皮切りに
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