2SK3079ATE12LQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10 V

利得：

13.5 dB

出力電力：

2.2 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PW-X-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

470 MHz

シリーズ：

2SK3079

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

東芝

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

3 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

0.8 V

Tags

2SK3079AT, 2SK3079, 2SK307, 2SK30, 2SK3, 2SK