TPN2R805PL,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSON-Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

45 V

Id-連続ドレイン電流：

139 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

39 nC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

104 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

TPN2R805PL

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.4 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

17 ns

単位重量：

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN