VND5N0713TR

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

70 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

200 mOhms

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

60 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

VND5N07

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND