IPI023NE7N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

75 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.3 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

155 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

300 W

構成：

独身

商標名：

OptiMOS

包装：

チューブ

高さ：

9.45 mm

長さ：

10.2 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

22 nS

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 nS

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 nS

パーツ番号エイリアス：

IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732

単位重量：

0.084199 oz

Tags

IPI023, IPI02, IPI0, IPI