NIF62514T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

90 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8.93 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.57 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

NIF62514

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

27 us

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 us

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

32 us

典型的なターンオン遅延時間：

4 us

単位重量：

0.008818 oz

Tags

NIF62514T, NIF62, NIF6, NIF