PTFA212401F V4

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

15.8 dB

出力電力：

240 W

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-37260-2

包装：

トレイ

構成：

独身

高さ：

4.11 mm

長さ：

22.35 mm

動作周波数：

2170 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.72 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

761 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

40

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

パーツ番号エイリアス：

FA212401FV4XP

Tags

PTFA2124, PTFA212, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF