NVMTS0D4N04CLTXG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-88-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

553.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

400 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

341 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

244 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

330 S

立ち下がり時間：

107 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

147 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

217 ns

典型的なターンオン遅延時間：

110 ns

Tags

NVMTS0D, NVMT, NVM