TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG0S3HBAI6
メーカー:
Toshiba Memory
説明:
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
TC58NYG0S3HBAI6 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
TC58NYG0S3HBAI6 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
東芝
製品カテゴリ:
NANDフラッシュ
JBoss:
Y
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
VFBGA-67
メモリー容量:
1 Gbit
インターフェイスタイプ:
平行
組織:
128 M x 8
データバス幅:
8 bit
供給電圧-最小:
1.7 V
供給電圧-最大:
1.95 V
供給電流-最大:
30 mA
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 85 C
包装:
トレイ
メモリタイプ:
NAND
ブランド:
東芝メモリ
最大クロック周波数:
-
感湿性:
はい
製品タイプ:
NANDフラッシュ
ファクトリーパックの数量:
338
サブカテゴリ:
メモリとデータストレージ
Tags
TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***akorn
NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
***et
1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
***S
vpe: 253/tray/bga
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
モデル メーカー 説明 ストック 価格
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6-ND
Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Temporarily Out of Stock
  • 338:$2.8107
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG0S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Americas - 0
  • 338:$2.1900
  • 676:$2.1900
  • 1352:$2.0900
  • 2028:$2.0900
  • 3380:$2.0900
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # 757-TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant
338
  • 1:$3.0600
  • 10:$2.7500
  • 50:$2.7000
  • 100:$2.4100
  • 250:$2.3400
  • 500:$2.3300
  • 1000:$2.1700
  • 2500:$2.1300
画像 モデル 説明
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6

NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TRAY-1190

ブランドニューオリジナル
TC58NYG1S8HBAI6JD2

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6JD2

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6JD2-1190

ブランドニューオリジナル
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0FBAI4-1190

ブランドニューオリジナル
TC58NYG2S3ETAI0B3H

Mfr.#: TC58NYG2S3ETAI0B3H

OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAI0B3H-1190

ブランドニューオリジナル
TC58NYG3S0FBAID

Mfr.#: TC58NYG3S0FBAID

OMO.#: OMO-TC58NYG3S0FBAID-1190

ブランドニューオリジナル
TC58NYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG2S0HBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

Flash Memory 4Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG1S3HBAI6-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-ND-1190

ブランドニューオリジナル
可用性
ストック:
338
注文中:
2321
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1
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$2.77
10
$2.49
$24.90
25
$2.45
$61.25
50
$2.44
$122.00
100
$2.18
$218.00
250
$2.11
$527.50
500
$2.10
$1 050.00
1000
$1.96
$1 960.00
2500
$1.87
$4 675.00
皮切りに
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