RM8N650IP

製品属性

属性値

メーカー：

Rectron

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

540 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

22 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

80 W

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Rectron

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5.5 S

立ち下がり時間：

6.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.5 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.5 ns

Tags

RM8N6, RM8N, RM8