IRLR024ZTRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

58 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

6.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

35 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.4 S

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

43 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.2 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001558374

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IRLR024ZT, IRLR024Z, IRLR02, IRLR0, IRLR, IRL