IPI045N10N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

117 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

214 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

チューブ

高さ：

9.45 mm

長さ：

10.2 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

73 S

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

59 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

パーツ番号エイリアス：

IPI045N10N3GXKSA1 IPI45N1N3GXK SP000683068

単位重量：

0.084199 oz

Tags

IPI045N10N3G, IPI045N10N3, IPI045, IPI04, IPI0, IPI