PTFA080551E V1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

600 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

150 mOhms

利得：

18.5 dB

出力電力：

55 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-36265-2

包装：

トレイ

構成：

独身

高さ：

3.56 mm

長さ：

20.31 mm

動作周波数：

869 MHz to 960 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

15.34 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

Pd-消費電力：

219 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Tags

PTFA080551EV, PTFA080551E, PTFA0805, PTFA080, PTFA08, PTFA0, PTFA, PTF