NTMYS3D3N06CLTWG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

133 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

18.4 nC, 40.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

100 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1-N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

130 S

立ち下がり時間：

96 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

58 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

66 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

Tags

NTMY, NTM