A2T18S262W12NR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

3.2 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

19.3 dB

出力電力：

56 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-880X-2

包装：

リール

動作周波数：

1805 MHz to 1880 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.4 V

パーツ番号エイリアス：

935346497528

単位重量：

0.133706 oz

Tags

A2T18S2, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T