STB85NS04Z

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

33 V

Id-連続ドレイン電流：

80 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

15 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

18 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

215 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.6 mm

長さ：

10.4 mm

シリーズ：

STB85NS04Z

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

9.35 mm

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

145 ns

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB85N, STB85, STB8, STB