A2G22S190-01SR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

GaN Si

Id-連続ドレイン電流：

19 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

利得：

16.5 dB

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-400S-2

包装：

リール

動作周波数：

1800 MHz to 2200 MHz

シリーズ：

A2G22S190

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

1 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 8 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.3 V

パーツ番号エイリアス：

935372783118

Tags

A2G22S1, A2G22, A2G2, A2G