SIHP105N60EF-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

29 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

88 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

35 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

シリーズ：

EF

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

19 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

39 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

Tags

SIHP10, SIHP1, SIHP, SIH