AFT20P140-4WNR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

17.8 dB

出力電力：

24 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

OM-780-4

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1880 MHz to 2025 MHz

シリーズ：

AFT20P140_4WN

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

0.6 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

パーツ番号エイリアス：

935323357528

単位重量：

0.112591 oz

Tags

AFT20P140-4WNR, AFT20P140-4WN, AFT20P1, AFT20P, AFT20, AFT2, AFT