DMN2005UFGQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI3333-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

50 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

164 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.27 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

38 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25.7 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

114 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.4 ns

Tags

DMN2005UF, DMN2005U, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN