RJK6024DP3-A0#J2

製品属性

属性値

メーカー：

ルネサスエレクトロニクス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

400 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

4.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.04 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RJK6024

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ルネサスエレクトロニクス

立ち下がり時間：

77 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

Tags

RJK6024, RJK602, RJK60, RJK6, RJK