MRF7P20040HSR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

150 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

18.2 dB

出力電力：

10 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-780S-4

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

4.32 mm

長さ：

20.7 mm

動作周波数：

1.8 GHz to 2.2 GHz

シリーズ：

MRF7P20040H

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.91 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.7 V

パーツ番号エイリアス：

935310091128

単位重量：

0.228180 oz

Tags

MRF7P20040HS, MRF7P, MRF7, MRF