US6M2GTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TUMT-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V, 20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A, 1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V, 2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

1.6 nC, 2.1 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

6 ns, 10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns, 8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6