NTMS5838NLR2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

5.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

17 nC

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

NTMS5838NL

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.019048 oz

Tags

NTMS58, NTMS5, NTMS, NTM