SCTWA50N120

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

HiP-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

65 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

52 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

122 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 200 C

Pd-消費電力：

318 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiP247â?¢

シリーズ：

SCTWA50N120

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

SCTWA, SCTW, SCT