ZXTN19020DZQTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

70 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

155 mV

最大DCコレクタ電流：

20 A

ゲイン帯域幅積fT：

160 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

900 at 100 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

7.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

300 at 100 mA, 2 V

Pd-消費電力：

27.8 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001764 oz

Tags

ZXTN19020DZ, ZXTN19020D, ZXTN1902, ZXTN190, ZXTN19, ZXTN1, ZXTN, ZXT