STW75N60M6-4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

72 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

36 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

106 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

446 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

STW75N60M6

トランジスタタイプ：

1 N Channel

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Tags

STW75N60M, STW75N6, STW75, STW7, STW