APT11N80KC3G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

11 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

390 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

156 W

チャネルモード：

強化

高さ：

9.66 mm

長さ：

10.66 mm

幅：

4.82 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

127

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

APT11N, APT11, APT1, APT