IXTF1R4N450

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

タイプ：

高電圧

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

ISOPLUS i4-Pak

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

ブランド：

IXYS

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

170 ns

Id-連続ドレイン電流：

1.4 A

Pd-消費電力：

190 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

40 Ohms

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

典型的なターンオフ遅延時間：

126 ns

典型的なターンオン遅延時間：

44 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

4500 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Tags

IXTF1, IXTF, IXT