IPT029N08N5ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOF-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

80 V

Id-連続ドレイン電流：

169 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

87 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

167 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

75 S

立ち下がり時間：

13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

42 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

パーツ番号エイリアス：

IPT029N08N5 SP001581494

Tags

IPT02, IPT0, IPT