CGHV14500F

Mfr. #:: CGHV14500F
メーカー:: N/A
説明:: RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: CGHV14500F データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
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ECAD Model:
詳しくは:: CGHV14500F 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: Wolfspeed / Cree

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: チューブ

取り付けスタイル: スクリュー

動作-温度-範囲: -

パッケージ-ケース: 440117

テクノロジー: GaN SiC

構成: 独身

トランジスタタイプ: HEMT

利得: 17.1 dB

クラス: -

出力電力: 510 W

Pd-電力損失: -

最高作動温度: + 130 C

最低作動温度: - 40 C

応用: -

動作周波数: 1.2 GHz to 1.4 GHz

Id-連続-ドレイン-電流: 36 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 150 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: - 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: -

トランジスタ-極性: Nチャネル

フォワード-相互コンダクタンス-最小: -

開発キット: CGHV14500F-TB

Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧: - 10 V to + 2 V

ゲート-ソース-カットオフ-電圧: -

最大ドレインゲート電圧: -

NF-雑音指数: -

P1dB-圧縮ポイント: -

Tags: CGHV145, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH

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CGHV14500F 説明

***o-Tech: - 500W, 1200 - 1400MHz, GaN HEMT Flange Package

***i-Key: RF MOSFET HEMT 50V 440117

***hardson RFPD: RF POWER TRANSISTOR

CGHV14500F 詳しくは

GaN HEMTs: Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
CGHV14500F DISTI # CGHV14500F-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440117 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	66In Stock	1:$520.0000
CGHV14500-TB DISTI # CGHV14500-TB-ND	Wolfspeed	TEST FIXTURE FOR CGHV14500 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Box	2In Stock	1:$632.5000
CGHV14500F DISTI # 941-CGHV14500F	Cree, Inc.	RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt RoHS: Compliant	36	1:$583.4200
CGHV14500-TB DISTI # 941-CGHV14500F-TB	Cree, Inc.	RF Development Tools Test Board without GaN HEMT RoHS: Not compliant	2	1:$617.0800
CGHV14500F DISTI # CGHV14500F	Wolfspeed	RF POWER TRANSISTOR RoHS: Compliant	0	1:$629.4700

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: CGHV14800F OMO.#: OMO-CGHV14800F	RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt
	Mfr.#: CGHV14250F OMO.#: OMO-CGHV14250F	RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
	Mfr.#: CGHV14250F-TB OMO.#: OMO-CGHV14250F-TB	RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
	Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1 OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1	RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
	Mfr.#: CGHV14250 OMO.#: OMO-CGHV14250-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGHV1J006D-GP4 OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED	RF MOSFET HEMT 40V DIE
	Mfr.#: CGHV1J025 OMO.#: OMO-CGHV1J025-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGHV1J025D-GP4 OMO.#: OMO-CGHV1J025D-GP4-WOLFSPEED	RF POWER TRANSISTOR
	Mfr.#: CGHV1J006D OMO.#: OMO-CGHV1J006D-318	RF JFET Transistors DC-18GHz 6W GaN Gain@10GHz 17dB
	Mfr.#: CGHV14250F OMO.#: OMO-CGHV14250F-WOLFSPEED	RF MOSFET HEMT 50V 440162