CGHV14250F

CGHV14250F
Mfr. #:
CGHV14250F
メーカー:
N/A
説明:
RF MOSFET HEMT 50V 440162
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CGHV14250F データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
CGHV14250F 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー
Wolfspeed / Cree
製品カテゴリ
トランジスタ-FET、MOSFET-シングル
包装
チューブ
取り付けスタイル
スクリュー
動作-温度-範囲
-
パッケージ-ケース
440162
テクノロジー
GaN SiC
構成
独身
トランジスタタイプ
HEMT
利得
18.6 dB
クラス
-
出力電力
330 W
Pd-電力損失
-
最高作動温度
+ 130 C
最低作動温度
- 40 C
応用
-
動作周波数
1.2 GHz to 1.4 GHz
Id-連続-ドレイン-電流
18 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
150 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
-
トランジスタ-極性
Nチャネル
フォワード-相互コンダクタンス-最小
-
開発キット
CGHV14250F-TB
Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧
- 10 V to + 2 V
ゲート-ソース-カットオフ-電圧
-
最大ドレインゲート電圧
-
NF-雑音指数
-
P1dB-圧縮ポイント
-
Tags
CGHV142, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 250W, 1200 - 1400MHz, GaN HEMT Flange Package
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V 440162
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
CGHV14250F
DISTI # CGHV14250F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440162
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
59In Stock
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # CGHV14250F-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV14250
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Box
5In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV14250F
DISTI # 941-CGHV14250F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
RoHS: Compliant
1
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # 941-CGHV14250F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$550.0000
画像 モデル 説明
CGHV1F025S

Mfr.#: CGHV1F025S

OMO.#: OMO-CGHV1F025S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
CGHV1F006S

Mfr.#: CGHV1F006S

OMO.#: OMO-CGHV1F006S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S-AMP3

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP3

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP3

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F006S
CGHV1F025S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F025S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F025S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
CGHV14500F

Mfr.#: CGHV14500F

OMO.#: OMO-CGHV14500F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB
CGHV1J025D

Mfr.#: CGHV1J025D

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
CGHV1J070D

Mfr.#: CGHV1J070D

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 70 Watts Gain 17dB @10GHz
可用性
ストック:
Available
注文中:
4500
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$551.74
$551.74
10
$524.16
$5 241.58
100
$496.57
$49 657.05
500
$468.98
$234 491.65
1000
$441.40
$441 396.00
皮切りに
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