TPN1110ENH,L1Q

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSON-Advance-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

13 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

96 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

39 W

構成：

トリプル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

3.1 mm

シリーズ：

TPN1110ENH

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.1 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

4.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5.2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

Tags

TPN111, TPN11, TPN1, TPN