RSS110N03FU6TB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOP-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

11 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.7 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.5 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

RSS110N03

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.4 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

60 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

RSS110N03

単位重量：

0.030018 oz

Tags

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